Интегральные схемы изготавливают из особо чистых полупроводниковых
материалов (обычно кремний, германий), в которых перестраивают саму решетку
кристаллов так, что отдельные области кристалла становятся элементами
сложной схемы. Маленькая пластинка из кристаллического материала размерами
примерно 1 мм2 превращается в сложнейший электронный прибор,
эквивалентный радиотехническому блоку из 50-100 и более обычных деталей. Он
способен усиливать или генерировать сигналы и выполнять многие другие
радиотехнические функции.
Технология изготовления интегральных схем обеспечивает одновременную
групповую обработку сразу большого количества схем. Это определяет в
значительной степени идентичность схем по характеристикам. Интегральные
схемы имеют высокую надежность за счет использования планарного процесса
изготовления и значительного сокращения числа микро-соединений элементов в
процессе создания схем.
Интегральные схемы развиваются в направлении все большей интеграции в одном
и том же объеме полупроводникового кристалла, то есть в направлении повышения
степени интеграции интегральных схем. Разработаны интегральные схемы
содержащие в одном кристалле сотни и тысячи элементов. В этом случае
интегральная схема превращается в большую интегральную схему (БИС).
В целях защиты от внешних воздействий интегральные схемы выпускают в
защитных корпусах (на рисунке). По количеству элементов различают
интегральные схемы: 1-й степени интеграции (до 10 элементов), 2-й степени
интеграции (от 10 до 100) и т. д. Размеры отдельных элементов интегральных
схем очень малы (порядка 0,5-10 мкм) и подчас соизмеримы с размерами пылинок
(1-100 мкм). Поэтом производство интегральных схем осуществляется в особо чистых условиях (см. Четвертое поколение ЭВМ\Intel).