Электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Транзисторы составляют два основных крупных класса: униполярные и биполярные транзисторы.

В униполярных транзисторах протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака - электронами или дырками.

В биполярных транзисторах (которые обычно называют просто "Транзисторами") ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Такой транзистор представляет собой монокристаллическую полупроводниковую пластину, в которой с помощью особых технологических приемов созданы 3 области с разной проводимостью: дырочной (p) и электронной (n). В зависимости от порядка их чередования различают транзисторы p-n-p типа и n-p-n типа. Средняя область (её обычно делают очень тонкой) - порядка нескольких мкм, называют базой, две другие - эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора электронно-дырочными переходами (p-n переходами): эмиттерными и коллекторными. От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы.

В соответствии с механизмом переноса неосновных носителей через базу различают бездрейфовые транзисторы, в базе которых ускоряющее электрическое поле отсутствует и заряды переносятся от эмиттера к коллектору за счет диффузии, и дрейфовые транзисторы, в которых действуют одновременно два механизма переноса зарядов в базе: их диффузия и дрейфовое электрическое поле. По электрическим характеристикам и областям применения различают транзисторы маломощные малошумящие ( используются во входных цепях радиоэлектронных усилительных устройств), импульсные (в импульсных электронных системах), мощные генераторные (в радиопередающих устройствах), фототранзисторы (в устройствах, преобразующих световые сигналы в электрические с одновременным усилением последних), ключевые (в системах автоматического регулирования в качестве электронных ключей). Различают также низкочастотные транзисторы (в основном для работы в звуковом и ультразвуковом диапазоне частот), высокочастотные (до 300 Мгц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 Мгц). Также еще существует деление транзисторов по технологии получения в кристалле зон с различной проводимостью (сплавные, диффузионные и т.д.) и конструктивному исполнению (в металлокерамических, пластмассовых корпусах и т.д.).

В качестве полупроводниковых материалов для изготовления транзисторов используются преимущественно кремний и германий. Размеры полупроводникового элемента современного транзистора весьма малы: даже в самых мощных транзисторах площадь кристалла не превышает нескольких мм². Надежность работы транзистором (определяется по среднему статистическому времени наработки на один отказ) характеризуется значениями ~10⁵ч, достигая в отдельных случаях 10⁶ ч. В отличие от электронных ламп транзисторы могут работать при низких напряжениях источников питания (до нескольких десятых долей В), потребляя при этом до нескольких мкА. Мощные транзисторы работают при напряжении 10 - 30 В и токах до нескольких десятков Ампер, отдавая в нагрузку мощность 100 Вт и более.